颠覆性突破!SiC长晶技术狂飙:速度快40%,厚度直接翻倍!

颠覆性突破!SiC长晶技术狂飙:速度快40%,厚度直接翻倍!

SiC技术大跃进:长晶效率飙升40%,晶体厚度倍增!

你是否好奇,碳化硅究竟如何突破极限,长得更大、更厚、更快?近期,住友通过液相法成功制备6英寸碳化硅衬底,一举将长晶速度拉升5倍,震撼业界。

但惊喜不止于此!“三代半风向”最新洞察显示,一项创新技术横空出世,据称能使长晶耗时锐减40%,同时让晶体厚度暴增1倍

甲基硅烷CVD法:

长晶速度提升40%,厚度增加100%

6月3日,武汉新硅科技潜江有限公司公开发榜,招募合作伙伴共同研发“以甲基硅烷为原料的CVD法沉积碳化硅晶体技术”,项目总投资高达1000万元

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新硅科技指出,当前Wolfspeed等国际巨头已能量产200mm(8吋)碳化硅晶片,GTAT等企业更在攻关250mm(10吋)乃至300mm(12吋)工艺。关键是其长晶时间极短(约60小时),晶体厚度轻松突破100mm

反观国内,目前仅能制备6吋、厚度约30mm的碳化硅晶体,且长晶耗时漫长(超100小时),差距显著。

新硅科技强调,甲基硅烷技术可生长6英寸以上碳化硅晶片,厚度超60mm,生长时间控制在60小时内,且晶片表面平滑、无开裂,性能卓越。

低温CVD:

美国强势领跑,国内亟待突破

《2021第三代半导体调研白皮书》,碳化硅长晶主流工艺包括物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉积法(HTCVD)及液相外延法(LPE)。

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目前PVT法虽占主导,但新硅科技认为,因硅粉与碳粉纯度所限,PVT法难以制备高纯碳化硅晶片。

传统HTCVD则以三氯甲基硅烷等为原料,腐蚀性强,设备要求极高

HTCVD原料易提纯至6N以上,能获得更高纯度晶片,故Norstel(已被意法半导体收购)、日本电装等企业持续投入研发。

新硅科技介绍,新一代CVD生长法采用甲基硅烷为原料,优势突出——不含氯原子,无腐蚀性气体,且长晶温度更低。

该技术还能制备更大尺寸(150mm及以上)、更厚(60mm以上)的碳化硅晶体。美国等发达国家已在此领域取得重大进展。

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实现该技术的关键在于两处——纯度达4N以上的甲基硅烷原料,以及匹配的CVD炉与配套工艺。

由于甲基硅烷材料至关重要,国外实施对华禁运,技术严密封锁。这导致国内甲基硅烷CVD工艺研发寥寥,近乎无工业化生产,专用设备与工艺亦属空白。

据悉,新硅科技成立于2013年6月6日,已是国内高纯四氯化硅最大供应商。该公司表示,现已掌握甲基硅烷生产技术,可提纯至电子级(4N或更高)。

但他们在CVD气相沉积领域设备不足、经验有限。为此,新硅科技发榜求贤,急寻国内CVD技术顶尖团队携手攻坚,共推国产技术飞跃。你是否也想见证这场技术革命?立即关注,探索无限可能!

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